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产品简介:
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NTHD5904NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的双N沟道增强型MOSFET,采用超小型SOT-723封装(尺寸仅1.2×0.8×0.5mm),具有低导通电阻(Rds(on)典型值为140mΩ @ Vgs=4.5V)、低栅极电荷(Qg≈2.1nC)和快速开关特性。其主要应用场景包括: • 便携式电子设备电源管理:如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口过流保护,得益于小尺寸与低功耗优势; • DC-DC转换器次级同步整流:在微型升压/降压模块中提升效率,尤其适用于空间受限的可穿戴设备电源设计; • 电池供电系统保护电路:配合保护IC实现电池充放电路径控制、反向电流阻断及短路防护; • 信号切换与逻辑电平转换:利用其低阈值电压(Vgs(th) 0.5–1.2V)和高输入阻抗,适用于低压I²C、GPIO等数字信号路由。 该器件额定电压为30V,连续漏极电流达0.4A(Ta=25℃),支持无铅回流焊,符合RoHS与AEC-Q200可靠性标准(部分批次),适用于消费电子及工业IoT边缘节点等对尺寸、能效与可靠性有严苛要求的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 3.3A 20V CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD5904NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 465pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 65 毫欧 @ 3.3A,4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 其它名称 | NTHD5904NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 640mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.5A (Ta) |