图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6N40-001由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6N40-001价格参考。ON SemiconductorNTD6N40-001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD6N40-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD6N40-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6N40-001 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,主要参数包括:耐压400V、连续漏极电流6A(Tc=25℃)、Rds(on)典型值为1.0Ω(Vgs=10V),具备快速开关特性与内置体二极管。 该器件适用于中等功率、高电压的开关应用,典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):如AC-DC适配器、PC电源、LED驱动电源中的主开关管或PFC升压开关; ✅ 电机控制:小型直流电机、步进电机或风扇驱动电路中的H桥或单边开关; ✅ 照明电子:高压LED恒流驱动、智能调光系统中的PWM调制开关; ✅ 工业控制:PLC输出模块、继电器替代电路、电磁阀/加热器驱动等需要400V耐压和可靠通断的场合; ✅ 家电应用:微波炉、洗衣机、空调等设备中用于交流侧可控硅替代或高频开关控制。 其TO-220封装便于散热与安装,配合合理驱动(推荐Vgs≥10V以确保充分导通),可兼顾效率与成本。需注意在感性负载应用中配合续流二极管及RC缓冲电路,以抑制关断电压尖峰。不适用于高频(>100kHz)或大电流(>8A)连续工况,此时建议选用更低Rds(on)或更优热设计的型号。