Datasheet下载- 型号： NTD65N03RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD65N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD65N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD65N03RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD65N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD65N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD65N03RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有30V耐压、65A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.1mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 该器件适用于中高功率、高效率的直流开关应用，典型场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如服务器/通信设备中的同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管； ✅ 电机驱动：用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，提供高效、低发热的功率控制； ✅ 负载开关与电源管理：在工业控制、智能电表、LED驱动电源中用作热插拔保护、电源通断控制或电池保护电路中的主开关； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否为车规级；NTD65N03RT4G为工业级，但部分版本可满足车载要求），适用于车身控制模块（BCM）、风扇控制、座椅调节等12V系统； ✅ 逆变器与UPS模块：作为低压输入端的功率开关，配合驱动IC实现高效能量转换。 其低Rds(on)和优化的栅极电荷（Qg≈45nC）有助于降低导通损耗与开关损耗，提升系统能效；TO-252封装兼顾散热性与PCB贴装便利性，适合紧凑型设计。使用时建议搭配合适栅极驱动与PCB铜箔散热设计，以充分发挥性能。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.5A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD65N03RT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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