Datasheet下载- 型号： NTD65N03R-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD65N03R-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD65N03R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD65N03R-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD65N03R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD65N03R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD65N03R-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅11 mΩ @ Vgs=10V）、额定电压30V、连续漏极电流高达65A（Tc=25°C），具备良好的开关性能与热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑适配器、通信电源、工业电源中的同步整流和主开关管； ✅ 电机驱动控制：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，尤其在电动工具、风扇、泵类设备中承担高效率开关功能； ✅ 负载开关与电源管理：作为电子保险丝、热插拔保护、电池供电系统中的主控开关，支持快速关断与过流防护； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电路中用作PWM调光开关管，兼顾效率与散热； ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101可靠性标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车载充电模块、座椅/车窗控制等非安全关键的12V系统。 该器件具备雪崩耐量（UIS）能力，支持一定脉冲过压工况；内置体二极管可满足续流需求。设计时建议配合合理PCB铜箔散热及栅极驱动优化（如限流电阻+加速关断），以发挥其高频（可达数百kHz）、低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 9.5A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD65N03R-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.4 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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