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  • 型号: NTD60N02R-001
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD60N02R-001由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD60N02R-001价格参考。ON SemiconductorNTD60N02R-001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD60N02R-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD60N02R-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD60N02R-001 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值约12 mΩ @ Vgs=10V)、额定电压20V、连续漏极电流高达60A(Tc=25°C),具备良好的开关速度与热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:广泛用于同步降压(Buck)转换器的主开关或同步整流管,尤其适用于低电压、大电流输出场景(如CPU/GPU供电、POL模块)。  
✅ 电机驱动电路:在小型直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动中,作为高侧/低侧开关,支持高频PWM控制。  
✅ 负载开关与电源管理:用于主板、工控板、网络设备中的板级电源分配(如12V/5V/3.3V域的热插拔保护、上电时序控制)。  
✅ 电池管理系统(BMS):适用于2S/3S锂电保护板中的充放电回路开关,配合保护IC实现过流/短路保护。  
✅ LED驱动与照明电源:在恒流LED驱动器中作调光开关或续流路径控制。

该器件强调高效率与小尺寸,适合空间受限且对能效要求较高的中功率应用。需注意其栅极阈值电压(Vgs(th)≈1.0–2.5V),建议使用≥4.5V驱动以确保充分导通;并配合合理PCB布局(加粗走线、铺铜散热)以发挥60A电流能力。
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