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- 型号： NTD4906NAT4H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4906NAT4H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4906NAT4H价格参考。ON SemiconductorNTD4906NAT4H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4906NAT4H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4906NAT4H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4906NAT4H 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型功率MOSFET阵列（采用SO-8封装），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A，脉冲可达180 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的上下管配置，提升效率（尤其在服务器、通信电源、工业电源中）； 2. 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动，如打印机、家用电器、电动工具控制模块； 3. 负载开关与电源管理：作为高侧/低侧智能开关，用于主板、显卡、嵌入式系统的电源域隔离与热插拔保护； 4. LED驱动与背光控制：在大电流LED照明或LCD背光系统中实现PWM调光与过流保护； 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制及均衡电路中的功率开关。 该器件集成双管结构，节省PCB面积并简化布局；具备100% Rg测试、雪崩额定能力（UIS）及符合RoHS标准，适用于对可靠性、效率和空间敏感的中高功率应用。注意需配合合理驱动电路（如栅极电阻匹配）与散热设计以发挥最佳性能。
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