Datasheet下载- 型号： NTD4855NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4855NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4855NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4855NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4855NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4855NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4855NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 60 A）和优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的同步降压（Buck）转换器，作为高侧或低侧开关，提升能效与功率密度； - 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇驱动电路，支持PWM调速与高效启停控制； - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如平板、POS终端）中用作电池供电路径切换、热插拔保护或系统级电源排序控制； - LED照明驱动：用于恒流LED驱动器中的开关元件，实现调光与过流保护； - 工业控制与电源模块：如PLC输出级、智能电表电源、AC-DC适配器次级同步整流等。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、100% Rg测试及符合RoHS/无卤素标准，适合对可靠性、热性能和成本敏感的中高功率应用。需注意合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动（推荐VGS ≥ 4.5 V以确保充分导通），并配合TVS或RC缓冲电路提升EMI与瞬态鲁棒性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAKMOSFET NFET 25V 98A 0.0033R DPAK |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4855NT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4855NT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.24 W |
| Pd-功率耗散 | 2.24 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 31.48 ns, 16.52 ns |
| 下降时间 | 10.74 ns, 4.35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2950pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.3 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 20.28 ns, 32.02 ns |
| 功率-最大值 | 1.35W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 14A （Ta）， 98A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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