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  • 型号: NTD4809NHT4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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NTD4809NHT4G产品简介:

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NTD4809NHT4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 11.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 76 A)和快速开关特性。其典型应用场景包括:

- DC-DC电源转换:广泛用于同步降压转换器(Buck Converter)的下管(low-side switch),尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效POL(Point-of-Load)模块。

- 电机驱动电路:适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动,如打印机、风扇、电动工具等,凭借低导通损耗提升能效与散热性能。

- 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、嵌入式系统中用作主电源/外设供电的热插拔保护开关或电池充放电路径控制。

- LED驱动与照明电源:用于恒流LED驱动器的PWM调光开关或隔离/非隔离式AC-DC次级侧同步整流。

该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.2–2.2 V),兼容3.3 V/5 V MCU直接控制;内置ESD保护与雪崩额定能力(EAS = 120 mJ),增强了系统鲁棒性。适用于中高频率(≤500 kHz)、中等功率(数十瓦至百瓦级)开关应用,兼顾效率、成本与可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 9A DPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NTD4809NHT4G

PCN组件/产地

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2155pF @ 12V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

15nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 30A,10V

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

NTD4809NHT4GOSCT

功率-最大值

1.3W

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.6A (Ta), 58A (Tc)

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