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NTD4809NHT4G产品简介:
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NTD4809NHT4G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)表面贴装封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 11.5 mΩ @ VGS = 10 V)、高电流能力(ID = 76 A)和快速开关特性。其典型应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于同步降压转换器(Buck Converter)的下管(low-side switch),尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效POL(Point-of-Load)模块。 - 电机驱动电路:适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动,如打印机、风扇、电动工具等,凭借低导通损耗提升能效与散热性能。 - 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、嵌入式系统中用作主电源/外设供电的热插拔保护开关或电池充放电路径控制。 - LED驱动与照明电源:用于恒流LED驱动器的PWM调光开关或隔离/非隔离式AC-DC次级侧同步整流。 该器件支持逻辑电平驱动(VGS(th)低至1.2–2.2 V),兼容3.3 V/5 V MCU直接控制;内置ESD保护与雪崩额定能力(EAS = 120 mJ),增强了系统鲁棒性。适用于中高频率(≤500 kHz)、中等功率(数十瓦至百瓦级)开关应用,兼顾效率、成本与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4809NHT4G |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2155pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD4809NHT4GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9.6A (Ta), 58A (Tc) |