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- 型号： NTD3808N-35G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3808N-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3808N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD3808N-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3808N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3808N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3808N-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，典型导通电阻Rds(on)低至3.5mΩ（Vgs=10V），额定漏源电压Vds为30V，连续漏极电流Id达75A（Tc=25°C），具备高效率、快速开关和强鲁棒性特点。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于同步降压转换器（Buck Converter）的主开关或同步整流管，尤其适用于服务器、通信电源及工业电源模块中高效、高密度设计。 ✅ 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动电路中的H桥下管或PWM控制开关，如电动工具、家电（吸尘器、风扇）、机器人关节驱动等。 ✅ 负载开关与电源管理：作为热插拔保护、电子保险丝或板级电源分配开关，利用其低导通损耗实现高效通断控制。 ✅ 电池管理系统（BMS）：用于锂电池组的充放电保护回路（如过流/短路保护开关），支持大电流、低发热运行。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated）、100% Rg测试及符合RoHS标准，适合对可靠性与能效要求较高的工业及消费类应用。需注意PCB布局散热设计（大面积铜箔+过孔散热）以保障高温工况下性能稳定。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3808N-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1660pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 76A （Tc） |
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