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- 型号： NTD3808N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD3808N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD3808N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD3808N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD3808N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD3808N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD3808N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 24 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 7.5 A连续，18 A脉冲）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管或非同步整流，提升效率与功率密度； - 电机驱动电路：适用于小型直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速控制，支持高频开关； - 负载开关与电源管理：在便携设备、工业控制板中用作电池保护、热插拔或电源路径管理的主控开关； - LED驱动与照明系统：作为恒流/调光开关元件，配合控制器实现高效LED调光； - 消费电子与家电：如打印机、扫地机器人、智能插座等对成本、尺寸和效率有要求的中低功率应用。 该器件具备100%通过雪崩能量测试（EAS），具备一定抗冲击能力；工作结温范围为–55°C 至 +175°C，适合工业级环境。需注意合理设计栅极驱动（推荐VGS ≥ 4.5 V以确保充分导通）及PCB散热布局，以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 16V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD3808N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1660pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 16V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 76A （Tc） |
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