Datasheet下载- 型号： NTD23N03RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD23N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD23N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNTD23N03RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD23N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD23N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD23N03RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有30V耐压、23A连续漏极电流（Tc=25°C）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅28mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中低压（如5V/12V/24V系统）的同步整流BUCK变换器、负载点（POL）电源模块，提升效率并减小发热； ✅ 电机驱动：适用于小型直流电机、步进电机或风扇控制电路中的H桥或单路驱动开关，支持PWM调速； ✅ 电源管理与保护电路：用作电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器、负载开关或电池保护板中的主控开关，实现过流/短路快速关断； ✅ LED驱动与照明控制：在智能LED灯带、汽车内饰灯或背光驱动中作为恒流调节或调光开关； ✅ 工业与消费类设备：如打印机电源、POS终端、安防设备、家电（如空调风机控制）等对可靠性、成本和散热有综合要求的中功率开关场合。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、符合RoHS标准，并优化了栅极电荷（Qg≈22nC），利于高频高效工作。需注意在大电流应用中合理设计PCB铜箔散热及驱动电路（推荐10–12V驱动电压以确保充分导通）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAKMOSFET 25V 23A N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD23N03RT4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD23N03RT4G |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 22.3 W |
| Pd-功率耗散 | 22.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 32 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 32 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 14.9 ns |
| 下降时间 | 2 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD23N03RT4GOSCT |
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 13 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta）， 17.1A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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