Datasheet下载- 型号： NTD23N03RT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD23N03RT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD23N03RT4价格参考。ON SemiconductorNTD23N03RT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD23N03RT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD23N03RT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD23N03RT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDSS = 30 V、ID（连续）= 23 A（TC = 25°C）、RDS(on) ≈ 35 mΩ（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性。 该器件主要应用于中低压、中电流的电源管理与功率控制场景，例如： - DC-DC转换器（如Buck、Boost电路）中的同步整流或主开关管； - 电机驱动电路（如小型直流风扇、步进电机驱动模块、电动工具控制板）中的H桥或单边驱动开关； - 负载开关与电源通断控制（如USB供电管理、电池保护电路、智能插座/PLC模块的继电器替代方案）； - LED照明驱动（恒流调光、PWM调光开关）； - 工业控制板、汽车电子辅助系统（如车窗升降、座椅调节、LED车灯电源）等对成本、尺寸和可靠性有要求的嵌入式应用。 其TO-252封装便于PCB布局与散热设计，配合较低的栅极电荷（Qg ≈ 22 nC），适合中频（数十kHz至数百kHz）开关应用，在效率与EMI之间取得良好平衡。需注意在高电流工况下合理设计PCB铜箔散热面积或加装小型散热片以保障长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 3.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD23N03RT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | NTD23N03RT4OSDKR |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta）， 17.1A （Tc） |
推荐商品
.jpg)
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTD23N03RT4 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商