Datasheet下载- 型号： NTD23N03R-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD23N03R-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD23N03R-1G价格参考。ON SemiconductorNTD23N03R-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD23N03R-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD23N03R-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD23N03R-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有30V耐压、23A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅28mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中低压BUCK/BOOST转换器的同步整流或主开关管，提升效率并减小发热； ✅ 电机驱动电路：适用于小型直流电机（如风扇、打印机、电动工具）的H桥或单路驱动，支持PWM调速； ✅ 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、机顶盒、网络设备等消费类电子中，用作电池保护、热插拔控制或系统供电通断管理； ✅ LED照明驱动：作为恒流调节或调光开关元件，适用于中功率LED灯条或驱动模块； ✅ 工业控制接口：在PLC输出模块、继电器替代方案中，实现低功耗、高可靠性的固态开关功能。 该器件具备良好的雪崩耐受能力（UIS rated）、100% Rg测试及无铅（Pb-free）环保封装，适合自动化贴片生产。需注意：实际应用中应合理设计栅极驱动（避免振荡）、加装散热措施（尤其高占空比工况），并配合TVS或RC吸收电路以抑制电压尖峰。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 3.8A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD23N03R-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD23N03R-1GOS |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta）， 17.1A （Tc） |
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