Datasheet下载- 型号： NTB22N06LT4
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB22N06LT4由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB22N06LT4价格参考。ON SemiconductorNTB22N06LT4封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB22N06LT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB22N06LT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB22N06LT4 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-263（D²PAK）表面贴装封装，具有60V耐压、22A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值为45mΩ @ Vgs=10V），以及快速开关特性。 该器件广泛应用于中等功率、高效率的直流开关场景，典型应用包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的同步整流与主开关管； ✅ DC-DC降压/升压转换器（如POL模块、通信电源、工业电源）； ✅ 电机控制电路（如小功率直流无刷电机驱动、风扇控制、步进电机H桥侧开关）； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护与负载开关； ✅ LED恒流驱动电源及智能照明调光电路； ✅ 汽车电子辅助系统（符合AEC-Q101可靠性标准，适用于车载USB充电模块、车身控制单元BCU等非安全关键应用）。 其低栅极电荷（Qg≈30nC）和优化的体二极管特性，有助于降低开关损耗与EMI，适合工作频率在100kHz以内的中高频应用。需注意：实际使用中应合理设计PCB散热焊盘，并配合合适的栅极驱动（推荐Vgs=10V以确保充分导通），避免因过热或雪崩失效导致可靠性下降。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A D2PAK-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB22N06LT4 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 11A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB22N06LT4OS |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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