Datasheet下载- 型号： NTB18N06LT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB18N06LT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB18N06LT4G价格参考。ON SemiconductorNTB18N06LT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB18N06LT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB18N06LT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB18N06LT4G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。该型号具有以下特点和应用场景： 特点： 1. 低导通电阻：NTB18N06LT4G 的典型导通电阻（Rds(on)）为 0.023 Ω（在 Vgs = 10V 时），能够有效降低功率损耗。 2. 高电流能力：连续漏极电流（Id）可达 18A（在 25°C 下），适合大电流应用。 3. 耐压范围广：其漏源极击穿电压（Bvdss）为 60V，适用于中等电压的应用场景。 4. 快速开关性能：具备较低的栅极电荷（Qg），可实现高效的开关操作。 5. 封装形式：采用 TO-220 封装，便于散热和安装。 应用场景： 1. 电源管理：NTB18N06LT4G 常用于 DC-DC 转换器、降压或升压电路中，作为主开关管或同步整流管。 2. 电机驱动：适用于小型直流电机驱动，例如家用电器中的风扇、泵或其他低功率电机控制。 3. 负载开关：可用于电池供电设备中的负载开关，以实现高效的电源切换。 4. 逆变器：在小型逆变器中作为功率开关，将直流电转换为交流电。 5. 保护电路：用于过流保护、短路保护等场合，通过快速切断电路来保护系统。 6. 汽车电子：在汽车电子领域中，可用于启动电路、辅助电源或照明控制。 7. 工业自动化：适用于工业控制中的继电器替代、电磁阀驱动等应用。 总结来说，NTB18N06LT4G 凭借其低导通电阻、高电流能力和良好的开关特性，广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB18N06LT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB18N06LT4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 48.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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