【未分类_NSVMMBD354LT1G】封装/厂家_NSVMMBD354LT1G中文资料_价格

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型号： NSVMMBD354LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NSVMMBD354LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVMMBD354LT1G价格参考。ON SemiconductorNSVMMBD354LT1G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NSVMMBD354LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVMMBD354LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NSVMMBD354LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的射频二极管，属于 MMBD354 系列。该型号的二极管具有低电容、高开关速度和良好的射频性能，适用于高频电路中的多种应用场景。以下是其主要的应用领域：

 1. 射频开关
   - NSVMMBD354LT1G 常用于射频开关电路中，特别是在无线通信设备中。它的快速开关特性和低正向压降使其非常适合处理高频信号的切换。
   - 应用实例：手机天线开关、Wi-Fi 模块、蓝牙设备等。

 2. 射频检波
   - 在射频信号检测中，该二极管可以将高频射频信号转换为直流电压，用于测量信号强度或进行功率检测。
   - 应用实例：信号强度指示器（RSSI）、功率计等。

 3. 混频器电路
   - 该二极管可用于混频器电路中，实现频率转换功能。通过非线性特性，它可以将输入信号与本地振荡信号混合，生成新的频率分量。
   - 应用实例：收音机、卫星接收器、雷达系统等。

 4. 保护电路
   - 在射频前端模块中，NSVMMBD354LT1G 可用作静电放电（ESD）保护或瞬态电压抑制（TVS）元件，保护敏感的射频器件免受过压损坏。
   - 应用实例：射频前端保护、天线接口保护等。

 5. 调制与解调
   - 该二极管可以用于调制和解调电路中，特别是在 AM（幅移键控）或 FM（频移键控）信号的处理中。
   - 应用实例：无线遥控、对讲机等。

 6. 高频整流
   - 在某些高频应用中，该二极管可以用作整流器，将交流射频信号转换为直流信号。
   - 应用实例：能量收集电路、微波功率测量等。

 特性总结：
- 工作频率：适合高频和超高频（UHF）应用。
- 低结电容：减少信号失真，提高效率。
- 快速恢复时间：支持高速开关操作。
- 低正向电压：降低功耗，提高系统效率。

综上所述，NSVMMBD354LT1G 广泛应用于通信、消费电子、工业控制和汽车电子等领域，尤其是在需要高效射频信号处理的场景中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE SCHOTTKY 7V CC DUAL SOT23
产品分类	RF 二极管
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NSVMMBD354LT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 If、F时的电阻	-
不同 Vr、F时的电容	1pF @ 0V，1MHz
二极管类型	肖特基 - 1 对共阴极
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率耗散（最大值）	300mW
包装	带卷（TR）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准包装	3,000
电压-峰值反向（最大值）	7V
电流-最大值	-