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- 型号： NSVBC114YPDXV65G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSVBC114YPDXV65G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSVBC114YPDXV65G价格参考。ON SemiconductorNSVBC114YPDXV65G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSVBC114YPDXV65G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSVBC114YPDXV65G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSVBC114YPDXV65G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（SC-89）微型封装，双NPN结构，带独立发射极，符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 该器件主要面向汽车电子和高可靠性工业应用，典型应用场景包括： 1. 车载LED驱动与状态指示：用于控制仪表盘背光、氛围灯、故障指示灯等，预偏置设计简化电路，节省PCB空间； 2. 汽车车身控制模块（BCM）：驱动继电器、小功率电磁阀、风扇控制信号调理等低电流开关负载； 3. 传感器接口电路：作为电平转换或信号缓冲器，配合MCU GPIO实现安全可靠的输入/输出隔离与驱动； 4. LIN总线节点中的唤醒/使能电路：利用其低待机电流与快速开关特性，辅助实现低功耗休眠管理； 5. 工业IoT终端的数字I/O扩展：在空间受限的嵌入式设备中替代分立偏置方案，提升生产良率与长期稳定性。 其AEC-Q101认证、-55°C~+150°C宽温工作范围、高ESD防护（HBM ≥2kV）及小型化封装，使其特别适用于对尺寸、可靠性和环境适应性要求严苛的汽车前装及高端工业场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSVBC114YPDXV65G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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