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产品简介:
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NSV1C301ET4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极型晶体管(BJT),属于单晶体管类别。该器件广泛应用于需要高可靠性和稳定性的电路设计中,尤其适用于以下几种典型应用场景: 1. 开关电路:该晶体管可作为电子开关使用,适用于数字电路中的逻辑控制、继电器驱动、LED驱动等场景,具有快速开关响应的特点。 2. 放大电路:在模拟信号处理中,可用于音频放大、传感器信号放大等场合,提供良好的线性放大性能。 3. 电源管理:在电源转换和稳压电路中,可用于电流调节、电压控制等功能,适合在低功耗系统中使用。 4. 汽车电子:该器件具有良好的温度稳定性和抗干扰能力,适合用于汽车控制系统,如ECU(电子控制单元)、车灯控制模块等。 5. 工业控制:在工业自动化设备中,用于电机驱动、继电器控制、传感器接口等应用,具备较高的可靠性和耐用性。 6. 消费类电子产品:如智能家电、遥控器、小型电子玩具等,适用于对成本和性能有平衡需求的产品。 该晶体管采用小型表面贴装封装(如SOT-23),适合高密度PCB布局,且具有较好的热稳定性和电气性能,适用于多种中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN 100V 3A 3DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NSV1C301ET4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1A,2V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 100V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 频率-跃迁 | 120MHz |