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- 型号： NSS12600CF8T1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSS12600CF8T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSS12600CF8T1G价格参考。ON SemiconductorNSS12600CF8T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSS12600CF8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSS12600CF8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSS12600CF8T1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型小信号双极结型晶体管（BJT），采用SOT-563（SC-89）超小型封装，具有低饱和电压（VCE(sat)典型值仅0.12V @ IC=100mA）、高直流电流增益（hFE = 200–450 @ IC=10mA）及快速开关特性（ton/toff约数纳秒级）。 其典型应用场景包括： 1. 便携式电子设备中的负载开关与电源管理——如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中驱动LED背光、振动马达或USB接口电源通断控制； 2. 逻辑电平转换与信号缓冲——在MCU GPIO驱动能力不足时，用作电平移位器或增强驱动能力（如驱动继电器线圈、小功率MOSFET栅极）； 3. 低压、小电流模拟/数字接口电路——如传感器信号调理前端的简易放大或开关，适用于3.3V/1.8V系统； 4. 电池供电系统的节能控制——得益于低VCE(sat)和微功耗待机特性，可降低导通损耗，延长电池寿命。 该器件额定集电极电流IC为200mA（连续），结温范围-55°C~150°C，符合AEC-Q101车规可靠性标准（部分批次），亦适用于工业及消费类高可靠性场景。其微型封装特别适合空间受限的PCB布局，是替代传统SOT-23 BJT的优选方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP 6A 12V CHIPFET |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSS12600CF8T1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 170mV @ 400mA，4A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 1A，2V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 830mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 12V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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