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- 型号： NSR10F30NXT5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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NSR10F30NXT5G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSR10F30NXT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSR10F30NXT5G价格参考。ON SemiconductorNSR10F30NXT5G封装/规格：二极管 - 整流器 - 单， 肖特基 表面贴装 二极管 30V 1A（DC） 2-DSN（1.4x0.6）。您可以下载NSR10F30NXT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSR10F30NXT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSR10F30NXT5G 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款单整流二极管，主要应用于需要高效、高可靠性整流功能的电源系统中。 该器件的额定正向电流为10A，反向电压为30V，采用紧凑的表面贴装封装（如PowerDFN），适合在空间受限的电路设计中使用。其低正向压降（VF）特性有助于提高能效，减少发热，提升系统整体可靠性。 典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于AC-DC转换电路中的整流部分，适用于笔记本电脑、手机等消费类电子产品的充电设备。 2. DC-DC转换器：在同步整流或非同步整流拓扑中作为输出整流二极管使用，提高转换效率。 3. 工业电源系统：如UPS（不间断电源）、工业控制电源模块中，用于稳定直流输出。 4. 汽车电子系统：适用于车载充电系统、DC-DC变换器等对可靠性要求较高的汽车电源应用。 5. 电池管理系统（BMS）：用于防止电流反向流动，保护电池安全。 NSR10F30NXT5G凭借其高电流能力、低损耗和小型化封装，广泛适用于对效率和空间要求较高的现代电源设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 30V 1A 2DSN肖特基二极管与整流器 Schottky Diodes 30V 1A |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,ON Semiconductor NSR10F30NXT5G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NSR10F30NXT5G |
| PCN组件/产地 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 470mV @ 1A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 30V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Diodes |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | 2-DSN（1.4x0.6） |
| 其它名称 | NSR10F30NXT5GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 2-XFDFN |
| 封装/箱体 | DSN2 |
| 峰值反向电压 | 30 V |
| 工作温度-结 | 150°C （最大） |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大功率耗散 | 1.47 W |
| 最大反向漏泄电流 | 20 uA |
| 最大浪涌电流 | 18 A |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 420 mV |
| 正向连续电流 | 1 A |
| 热阻 | 228°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 30V |
| 电流-平均整流(Io) | 1A（DC） |
| 系列 | NSR10F30NX |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
