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- 型号： NSCT3906LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSCT3906LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSCT3906LT1G价格参考。ON SemiconductorNSCT3906LT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSCT3906LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSCT3906LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSCT3906LT1G 是安森美（onsemi）推出的 PNP 型双极结型晶体管（BJT），SOT-23 小型表面贴装封装，具有低饱和电压、高直流电流增益（hFE 典型值 300@10mA）、快速开关特性及良好的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. 通用信号开关与电平转换：常用于微控制器（如STM32、Arduino）IO口驱动，控制LED、蜂鸣器、继电器线圈等低功率负载（≤100mA），实现逻辑反相或电平适配（如3.3V↔5V系统间接口）。 2. 模拟电路中的电流源/镜像电路：因匹配性好、增益稳定，适用于精密偏置、传感器调理电路（如配合NTC/PT100的恒流激励）及运算放大器外围偏置网络。 3. 电源管理辅助功能：在DC-DC转换器或LDO中用作使能控制（EN引脚驱动）、电源状态指示或过流检测的有源开关元件。 4. 消费类与便携设备：得益于SOT-23小尺寸和低功耗特性，广泛应用于手机周边电路、可穿戴设备、IoT传感器节点等空间受限场景。 需注意：该器件为PNP型，工作时发射极接高电平，基极拉低导通；设计中应合理设置基极限流电阻（通常10–100kΩ），并避免超过最大集电极电流（−200mA）与功耗（300mW）。不适用于大功率开关或高频射频放大。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PNP GP 40V SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSCT3906LT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，1V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 200mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 频率-跃迁 | 250MHz |
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