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- 型号： NSBC143ZDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC143ZDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC143ZDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC143ZDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC143ZDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC143ZDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC143ZDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=47 kΩ、R2=47 kΩ），采用SOT-563（6引脚小尺寸封装），含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA/DTV type）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或DSP的I/O口扩展，将低电流逻辑信号（如3.3V/5V TTL/CMOS）安全、可靠地转换为足以驱动LED、小型继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极的开关信号。 2. LED数码管/段式显示器驱动：双通道结构适合驱动共阴极LED数码管的位选或段选，简化外围电路，省去外置基极限流电阻。 3. 板级信号调理与缓冲：在通信模块（如UART、I²C电平适配）、传感器接口中作信号整形、反相或非反相开关缓冲，提升抗干扰能力与驱动能力。 4. 电源管理辅助控制：用于负载开关控制、使能信号分配（EN/CTRL）、LDO或DC-DC转换器的使能端驱动等低功耗、高可靠性场景。 5. 消费电子与工业控制板卡：广泛应用于打印机、家电主控板、智能电表、IoT终端等对空间、BOM成本和可靠性要求较高的场合。 该器件具有高增益（hFE=80–200）、快速开关特性（tON/tOFF约数十纳秒）、±50V VCEO耐压及ESD保护（HBM > 2kV），支持-55°C至+150°C工作温度，满足工业级应用需求。其预偏置设计显著减少PCB面积与贴片元件数量，提升生产良率与系统稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC143ZDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC143ZDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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