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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NSBC124EPDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC124EPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC124EPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC124EPDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC124EPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC124EPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC124EPDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，采用SOT-563封装（6引脚），内部集成两个NPN晶体管，每路均内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=22 kΩ，R₂=47 kΩ），实现免外部偏置设计。其典型应用场景包括： - 数字逻辑电平转换与接口驱动：用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC驱动LED、继电器、小功率MOSFET等负载，简化电路设计，提升可靠性； - LED恒流/开关控制：在便携设备背光、状态指示灯等低电流（IC max ≈ 100 mA）应用中，作为低成本、高集成度的开关单元； - 信号缓冲与反相器阵列：双通道结构支持紧凑的推挽或互补逻辑功能，适用于传感器信号调理、编码器输入整形等； - 电池供电设备：低待机电流（ICEO < 100 nA）、宽工作电压（−0.5 V ~ 30 V）及-55°C~+150°C工作温度范围，适用于工业传感器节点、IoT终端等严苛环境。 该器件省去4个外置偏置电阻，减小PCB面积与BOM成本，提升量产一致性，是替代分立BJT+电阻方案的理想选择。注意其不适用于线性放大或高频射频场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC124EPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC124EPDXV6OSCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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