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- 型号： NSBC114TPDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TPDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TPDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBC114TPDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TPDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TPDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114TPDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（6引脚小型封装），含两个独立的NPN预偏置晶体管（Dual NPN, Emitter-common configuration）。其典型应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：适用于微控制器（MCU）、FPGA或逻辑IC输出端，驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极，简化外围电路（无需外接基极限流电阻）； 2. LED指示灯/背光控制：凭借低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.15V @ Ic = 10mA）和稳定开关特性，常用于消费电子（如手机、平板、家电）中的多路LED状态指示； 3. 信号切换与缓冲：在低速信号通路中作有源开关或电流缓冲，提升驱动能力并增强抗干扰性； 4. 电池供电设备：支持1.8V–5.5V宽电源电压，静态电流低，配合小尺寸封装（SOT-563），适用于空间受限、强调能效的便携式设备。 该器件通过AEC-Q101认证（部分批次），亦可用于车规级非安全关键模块（如车身控制、HVAC状态指示）。需注意其最大集电极电流为100mA（每通道），不适用于大功率开关或线性放大应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TPDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114TPDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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