Datasheet下载- 型号： NSBC114TDXV6T5
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBC114TDXV6T5由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBC114TDXV6T5价格参考。ON SemiconductorNSBC114TDXV6T5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBC114TDXV6T5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBC114TDXV6T5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBC114TDXV6T5 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）阵列，内置预偏置电阻（含R1=10kΩ、R2=10kΩ），采用SOT-563（6引脚小型封装），含两个独立的NPN数字晶体管（Dual NPN Digital Transistor, DTA）。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平接口与信号切换：常用于微控制器（如STM32、PIC、ESP32）IO口驱动能力不足时，作为缓冲/电平转换器件，可靠驱动LED、小功率继电器、蜂鸣器或MOSFET栅极。 2. 数字开关电路：因集成基极-发射极和基极-集电极偏置电阻，可直接由TTL/CMOS逻辑电平（如3.3V/5V）控制，省去外部偏置电阻，简化PCB设计，提升可靠性，适用于消费电子（如遥控器、智能家电）中的状态指示与负载开关。 3. 冗余/并联驱动需求场景：双通道结构支持同步控制两路负载（如双色LED、H桥预驱、双路传感器使能），节省空间与BOM成本。 4. 工业与汽车电子辅助电路：符合AEC-Q101认证（该型号为车规级版本），适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）中非主动力回路的信号调理与隔离驱动。 注意：不适用于线性放大或高频率（>100MHz）、大电流（IC＞100mA）场景。典型工作条件为VCE≤50V，IC≤100mA，hFE≈30–200（具体取决于工作点）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBC114TDXV6T5 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 160 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBC114TDXV6T5OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 8,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | - |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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