Datasheet下载- 型号： NSBA143EDXV6T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NSBA143EDXV6T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NSBA143EDXV6T1价格参考。ON SemiconductorNSBA143EDXV6T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NSBA143EDXV6T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NSBA143EDXV6T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NSBA143EDXV6T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双极结型晶体管（BJT）预偏置阵列，内置两个NPN晶体管，每路集成基极-发射极电阻（R1=47 kΩ）和基极-集电极反馈电阻（R2=47 kΩ），采用SOT-563（SC-88）小型封装。 该器件主要面向空间受限、需简化外围电路的低压数字逻辑接口与信号切换场景。典型应用包括： • LED驱动：直接连接MCU GPIO驱动多路LED，无需外接偏置电阻，提升PCB密度与可靠性； • 逻辑电平转换/缓冲：在3.3 V/5 V系统中实现数字信号开关或反相/非反相缓冲，降低设计复杂度； • 电源管理中的使能控制：用于DC-DC转换器或LDO的EN引脚驱动，提供稳定开关特性； • 传感器接口电路：配合光耦、霍尔开关等数字输出传感器，实现信号整形与电流放大； • 便携式设备I/O扩展：在TWS耳机、可穿戴设备、IoT终端中替代分立三极管+电阻方案，节省BOM成本与贴片工位。 其预偏置结构显著提升开关一致性与温漂稳定性，支持-55°C至+150°C工作温度范围，满足工业及汽车级（AEC-Q101兼容）可靠性要求。需注意：最大集电极电流为100 mA（连续），适用于中小功率开关场景，不适用于高功率放大或线性区模拟应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL PNP SOT563 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NSBA143EDXV6T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 15 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | NSBA143EDXV6T1OS |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 4.7k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 频率-跃迁 | - |
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