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- 型号： NP82N04MUG-S18-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NP82N04MUG-S18-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NP82N04MUG-S18-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSNP82N04MUG-S18-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NP82N04MUG-S18-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NP82N04MUG-S18-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NP82N04MUG-S18-AY 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小型表面贴装封装（如SOP-8或类似），具有低导通电阻（Rds(on)典型值约3.5 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=82A）、耐压40V，适用于中高功率直流开关场景。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换器：在服务器、通信设备及工业电源的同步整流BUCK电路中用作主开关管或同步整流管，提升效率并降低温升； ✅ 电机驱动：用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动模块，支持PWM调速与快速关断； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电保护回路中的主控MOSFET，配合保护IC实现过流、短路和反接保护； ✅ LED照明驱动：在高亮度LED恒流驱动电源中承担调光开关或主功率开关功能； ✅ 电子负载与电源开关模块：因低Rds(on)和良好热稳定性，适合集成于紧凑型可编程电子负载或智能配电单元。 该器件具备雪崩耐量（UIS rated）、符合RoHS标准，并优化了栅极电荷（Qg）以兼顾开关速度与驱动损耗，适用于高频（数十kHz至百kHz级）开关应用。需注意PCB布局散热设计（建议敷铜面积≥200mm²）及栅极驱动电压（推荐10V，最低4.5V保证充分导通）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NP82N04MUG-S18-AY |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 9750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 41A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 900 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 82A （Tc） |
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