Datasheet下载- 型号： NJVNJD35N04G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVNJD35N04G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVNJD35N04G价格参考。ON SemiconductorNJVNJD35N04G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVNJD35N04G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVNJD35N04G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NJVNJD35N04G 是一款由 ON Semiconductor 提供的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是其主要应用场景： 1. 开关电路：该型号的 BJT 可用于各种开关应用中，例如继电器驱动、LED 驱动和小型电机控制等。通过控制基极电流，可以实现对负载的有效通断控制。 2. 信号放大：作为放大器件，NJVNJD35N04G 能够在音频设备、传感器信号处理和其他低功率模拟信号放大的场景中使用。它能够将微弱的输入信号放大到更高的幅度，以满足后续电路的需求。 3. 电源管理：在某些简单的电源管理系统中，如线性稳压器或电流限制电路，该晶体管可以用作关键的调节元件，帮助维持输出电压稳定或限制电流。 4. 保护电路：可用于过流保护、短路保护等安全功能的设计中。通过监测特定条件并相应地调整工作状态，确保系统免受损害。 5. 脉宽调制 (PWM) 控制：在需要 PWM 信号来控制速度或亮度的应用中（例如直流电机速度控制或 LED 亮度调节），此晶体管可以充当功率级的一部分，执行快速开关操作。 6. 通信设备中的小信号处理：在一些无线通信模块或数据传输接口中，该 BJT 可用于处理小信号的调制解调过程。 总体而言，NJVNJD35N04G 因其性能特点适合应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及家用电器等多个领域中的基本电路构建与优化。具体选择时还需结合实际参数需求进行评估。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 4A 350V DPAK-4达林顿晶体管 Pwr DARLINGTON TRANSIST |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,达林顿晶体管,ON Semiconductor NJVNJD35N04G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVNJD35N04G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 20mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 2000 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 达林顿晶体管 |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 45W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管类型 | NPN - 达林顿 |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 350V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 50µA |
| 系列 | NJD35N04 |
| 频率-跃迁 | 90MHz |
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