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  • 型号: NJVNJD2873T4G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NJVNJD2873T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVNJD2873T4G价格参考。ON SemiconductorNJVNJD2873T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NJVNJD2873T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NJVNJD2873T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美)的NJVNJD2873T4G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和可靠性,适用于需要中等电流和电压控制的场景。

主要应用场景包括:  
1. 电源管理电路:用于线性稳压器、DC-DC转换器中的驱动级或负载开关,实现高效的电能调节。  
2. LED驱动:在中低功率LED照明系统中作为开关或恒流源控制元件,提供稳定的亮度控制。  
3. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,作为驱动信号的放大与开关元件。  
4. 继电器驱动:在工业控制和自动化设备中,用于驱动继电器线圈,实现低压控制高压负载的功能。  
5. 信号放大:适用于音频或低频信号的前置放大电路,提供良好的增益特性。  
6. 消费类电子产品:如家电控制板、电源适配器、充电器等,用于各类开关和接口电路中。

NJVNJD2873T4G具有高增益、低饱和压降和优良的开关速度,同时符合RoHS环保标准并具备无卤素设计,适合对环保和可靠性要求较高的工业与消费类应用。其SOT-223封装便于散热,适合紧凑型电源设计。总体而言,该晶体管是一款性价比高、应用广泛的通用型BJT,特别适用于中功率开关和放大任务。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS BIP NPN 2A 50V DPAK-4两极晶体管 - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVNJD2873T4G-

数据手册

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产品型号

NJVNJD2873T4G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 50mA,1A

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

120 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

DPAK-3

其它名称

NJVNJD2873T4GOSDKR

功率-最大值

1.68W

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

65 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

D-PAK

工厂包装数量

2500

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

15 W

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

2A

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

360

系列

NJVNJD2873T4G

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

50 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极—射极饱和电压

0.3 V

集电极连续电流

2 A

频率-跃迁

65MHz

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