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产品简介:
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ON Semiconductor(安森美)的NJVNJD2873T4G是一款NPN型双极结型晶体管(BJT),属于通用放大和开关应用的中功率晶体管。该器件采用SOT-223封装,具有良好的热性能和可靠性,适用于需要中等电流和电压控制的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:用于线性稳压器、DC-DC转换器中的驱动级或负载开关,实现高效的电能调节。 2. LED驱动:在中低功率LED照明系统中作为开关或恒流源控制元件,提供稳定的亮度控制。 3. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,作为驱动信号的放大与开关元件。 4. 继电器驱动:在工业控制和自动化设备中,用于驱动继电器线圈,实现低压控制高压负载的功能。 5. 信号放大:适用于音频或低频信号的前置放大电路,提供良好的增益特性。 6. 消费类电子产品:如家电控制板、电源适配器、充电器等,用于各类开关和接口电路中。 NJVNJD2873T4G具有高增益、低饱和压降和优良的开关速度,同时符合RoHS环保标准并具备无卤素设计,适合对环保和可靠性要求较高的工业与消费类应用。其SOT-223封装便于散热,适合紧凑型电源设计。总体而言,该晶体管是一款性价比高、应用广泛的通用型BJT,特别适用于中功率开关和放大任务。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS BIP NPN 2A 50V DPAK-4两极晶体管 - BJT BIPOLAR XTSR 2A/50V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NJVNJD2873T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NJVNJD2873T4G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 50mA,1A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 500mA,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 其它名称 | NJVNJD2873T4GOSDKR |
| 功率-最大值 | 1.68W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 65 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | D-PAK |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 15 W |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 2A |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 360 |
| 系列 | NJVNJD2873T4G |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.3 V |
| 集电极连续电流 | 2 A |
| 频率-跃迁 | 65MHz |