Datasheet下载- 型号： NJVMJD45H11T4G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD45H11T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD45H11T4G价格参考。ON SemiconductorNJVMJD45H11T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD45H11T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD45H11T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NJVMJD45H11T4G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于高功率达林顿晶体管，常用于需要高电流增益和高电压耐受能力的场景。其典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于开关电源、DC-DC转换器中的驱动与控制部分，可有效控制大电流负载。 2. 电机驱动：广泛应用于工业控制、汽车电子中的小型电机或继电器驱动，因其高电流放大倍数能有效提升驱动效率。 3. 照明系统：在LED驱动电路中作为开关元件，尤其适用于大功率LED阵列的控制，具有良好的导通特性和稳定性。 4. 汽车电子：用于车载设备如风扇控制、灯光控制模块等，符合AEC-Q101车规标准，具备良好的可靠性和温度适应性（工作温度可达150°C）。 5. 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器输出级或执行器驱动电路中，作为功率开关使用。 6. 消费类电器：如家电中的电磁阀、加热元件等负载控制。 该器件采用SOT-223封装，便于散热，适合高密度电路设计。其高集电极电流（可达5A）和高电压耐压（VCEO=350V）特性使其在中高功率模拟与开关应用中表现优异。综合来看，NJVMJD45H11T4G特别适用于对可靠性与热性能要求较高的工业与汽车领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP PNP 8A 80V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD45H11T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 400mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 40 @ 4A，1V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 80V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 1µA |
| 频率-跃迁 | 90MHz |
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