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产品简介:
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NJVMJD45H11RLG 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道达林顿功率双极晶体管(Darlington BJT),具有高电流增益(hFE典型值达1000)、高集电极电流(IC = 8A连续,32A脉冲)和高耐压(VCEO = 110V),采用TO-220封装,内置基极-发射极钳位二极管与续流二极管,支持快速关断并抑制感性负载反电动势。 典型应用场景包括: • 工业控制:驱动继电器、电磁阀、步进电机/直流电机的开关模块; • 电源系统:线性稳压器的调整管、大电流电子负载、电池充放电管理中的通断控制; • 照明与家电:LED路灯/工矿灯的恒流驱动电路、空调压缩机或风扇的功率开关; • 汽车电子(符合AEC-Q101):车身控制模块(BCM)中用于车窗升降、座椅调节、冷却风扇等12V/24V直流负载的高可靠性开关; • 替代方案:可作为MJD45H11的表面贴装升级版(RLG后缀表示卷带包装),适用于自动化SMT产线。 其内置保护二极管和高鲁棒性设计,显著简化外围电路,提升系统可靠性与EMC性能,特别适合中高功率、中低频(≤100kHz)开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP PNP 8A 80V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD45H11RLG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 400mA,8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 40 @ 4A,1V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 标准包装 | 1,800 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 8A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 1µA |
| 频率-跃迁 | 90MHz |