Datasheet下载- 型号： NJVMJD128T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NJVMJD128T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NJVMJD128T4G价格参考￥11.41-￥11.41。ON SemiconductorNJVMJD128T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NJVMJD128T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NJVMJD128T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NJVMJD128T4G是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），属于高增益、高电流达林顿晶体管，常用于需要高电流放大能力的开关应用。该器件采用SOT-223封装，具有良好的热性能和可靠性，适用于空间受限但需高效散热的设计。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理与负载开关：在电源控制电路中作为高电流开关，驱动继电器、LED灯、电机等大电流负载。 2. 工业控制：广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业自动化设备中的信号放大与开关控制。 3. 消费类电子产品：如家用电器中的马达驱动或加热元件控制。 4. 汽车电子：用于车身电子系统，如车窗升降器、风扇控制、灯光控制等，得益于其AEC-Q101车规认证，具备较高的环境适应性和可靠性。 5. 嵌入式系统与微控制器接口：作为微控制器输出信号的放大器，驱动高功率外设。 NJVMJD128T4G具有高直流电流增益（hFE可达1000以上）和高达1.5A的集电极电流能力，适合低驱动电流下实现大电流开关操作。同时，其内置的基极-发射极电阻简化了PCB设计，提升了稳定性。 综上，该型号适用于需高可靠性、高增益及中高电流开关功能的工业、消费和汽车领域，是驱动类应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BIP PNP 8A 120V DPAK-4 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NJVMJD128T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 4V @ 80mA，8A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 1000 @ 4A，4V |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 功率-最大值 | 1.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 晶体管类型 | PNP - 达林顿 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 5mA |
| 频率-跃迁 | - |
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