Datasheet下载- 型号： NIMD6001ANR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NIMD6001ANR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NIMD6001ANR2G价格参考。ON SemiconductorNIMD6001ANR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NIMD6001ANR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NIMD6001ANR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NIMD6001ANR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高侧N沟道MOSFET配电开关，属于PMIC - 配电开关/负载驱动器类别。其典型应用场景包括： - 工业控制与自动化设备：用于PLC模块、I/O端子板中，为传感器、执行器、继电器线圈等外围负载提供受控电源通断，具备过流、过热和短路保护，提升系统可靠性。 - 通信设备：在基站、光模块、网络交换机中，用于热插拔管理或分时供电控制，支持浪涌电流限制（软启动），避免上电冲击影响主电源。 - 汽车电子（非安全关键域）：适用于车身控制模块（BCM）中的车灯、风扇、水泵等12V负载驱动（需配合外部TVS及满足AEC-Q100 Grade 2认证设计），但注意该器件本身为工业级（非车规），实际车载应用需严格评估并添加必要保护电路。 - 计算与嵌入式系统：在服务器主板、工控机中作为板载外设（如USB集线器、风扇、LED指示灯）的独立供电开关，支持使能控制（EN引脚）和故障反馈（FAULT引脚），便于MCU实现智能电源管理。 该器件集成低导通电阻（典型35mΩ）、精确电流限值（约5.5A）、反向电流阻断及自动重试/锁闭模式可选，适合需高效率、小尺寸和强保护能力的中等功率（≤60W）直流配电场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MOSFET DVR 60V 3.3A 8SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NIMD6001ANR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 60 毫欧 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 10A |
| 电流-输出/通道 | 3.3A |
| 类型 | 低端 |
| 输入类型 | 反相 |
| 输出数 | 2 |
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