Datasheet下载- 型号： NGB8206ANSL3G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NGB8206ANSL3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NGB8206ANSL3G价格参考。ON SemiconductorNGB8206ANSL3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NGB8206ANSL3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NGB8206ANSL3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NGB8206ANSL3G 是安森美（ON Semiconductor）推出的高性能IGBT（绝缘栅双极型晶体管），采用DPAK（TO-252）封装，内置续流二极管，额定电压600 V，连续集电极电流达15 A（Tc=25°C），具备低导通压降（VCE(sat)典型值1.7 V）和优化的开关特性。 该器件主要面向中功率、高效率、高可靠性的工业与消费类电源应用，典型应用场景包括： - 变频家电：如变频空调、冰箱压缩机驱动，利用其低损耗和良好热性能提升能效（符合IEC 60335等安全标准）； - 工业电机控制：小型泵、风机、电动工具的逆变驱动模块，支持PWM频率10–20 kHz，兼顾效率与EMI； - 不间断电源（UPS）与光伏逆变器：适用于单相离网/并网系统中的DC-AC转换级，尤其适合成本敏感且需稳健短路耐受能力（10 μs短路耐受）的场合； - 感应加热与电磁炉：在半桥拓扑中作为主开关，配合软开关设计可降低开关应力。 其内置二极管具有快恢复特性（trr ≈ 140 ns），减少反向恢复损耗；同时具备负温度系数VCE(sat)，便于并联使用。需注意PCB布局散热设计（推荐铜箔面积≥4 cm²）及门极驱动（建议±15 V驱动电压、RG=10–22 Ω）。 综上，NGB8206ANSL3G 是一款经济高效、易于设计导入的中功率IGBT，广泛用于对可靠性、能效与成本均有要求的中端电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | -/5µs |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 50A |
| 描述 | IGBT 390V 20A 150W D2PAK3IGBT 晶体管 IGBT 20A 350V N-CHANNEL |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | - |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,ON Semiconductor NGB8206ANSL3G- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NGB8206ANSL3G |
| SwitchingEnergy | - |
| TestCondition | 300V，9A，1 千欧，5V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 功率耗散 | 150 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 在25C的连续集电极电流 | 20 A |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | 15 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | 350 uA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 390V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 20A |
| 系列 | NGB8206A |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 390 V |
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