Datasheet下载- 型号： NE851M33-T3-A
- 制造商： CEL
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE851M33-T3-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE851M33-T3-A价格参考。CELNE851M33-T3-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE851M33-T3-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE851M33-T3-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为NE851M33-T3-A的CEL品牌射频双极晶体管（BJT），主要应用于射频（RF）放大电路中，特别适用于无线通信系统中的高频信号放大。该器件具有良好的高频特性与线性度，适合用于低噪声放大器（LNA）或驱动放大器的设计。 常见应用场景包括： 1. 无线基站与通信设备：用于4G/5G基站、微波通信系统等，作为射频前端的信号放大元件，提升接收灵敏度和传输效率。 2. 工业与测试仪器：应用于频谱分析仪、信号发生器等测试设备中，用于放大高频测试信号，确保测量精度。 3. 广播与卫星通信：在卫星接收系统和广播发射设备中，用于中高频段信号的放大处理。 4. 雷达与军事通信：在雷达系统和军用通信设备中，用于高稳定性和高频率信号的放大需求。 该晶体管采用SOT-33封装，便于表面贴装，适用于高频率（如GHz级别）工作环境，具备良好的热稳定性和可靠性，适合高性能射频电路设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NE851M33-T3-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，1V |
| 供应商器件封装 | 3 针 SuperMiniMold （M33） |
| 功率-最大值 | 130mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NE851M33-T3-A 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商