Datasheet下载- 型号： NE851M33-A
- 制造商： CEL
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NE851M33-A由CEL设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE851M33-A价格参考。CELNE851M33-A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NE851M33-A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NE851M33-A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CEL NE851M33-A 是一款双极结型晶体管（BJT），专为射频（RF）应用设计。其主要应用场景包括： 1. 射频放大器：该器件适用于高频信号放大，常用于通信设备中的射频前端放大模块，如无线基站、微波通信系统等。 2. 无线通信系统：NE851M33-A 可用于GSM、CDMA、WCDMA等移动通信系统的功率放大器和低噪声放大器设计中，支持高频段信号处理。 3. 广播设备：在广播发射设备中，作为高频信号放大元件，用于增强发射信号的强度，提高传输距离和稳定性。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，作为关键的放大或混频元件。 5. 工业控制系统：在需要高频信号处理的工业自动化系统中，如射频识别（RFID）、传感器信号放大等领域也有应用。 该晶体管具有良好的高频特性和稳定性，适合在高性能射频电路中使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR NPN 2GHZ M33 |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT) |
| 品牌 | CEL |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NE851M33-A |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 5mA，1V |
| 供应商器件封装 | 3 针 SuperMiniMold （M33） |
| 功率-最大值 | 130mW |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| 增益 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 频率-跃迁 | 4.5GHz |
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