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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NE5230DR2G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NE5230DR2G价格参考。ON SemiconductorNE5230DR2G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NE5230DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NE5230DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的NE5230DR2G是一款双通道低噪声运算放大器,属于线性放大器类别,广泛应用于对信号精度和噪声性能要求较高的场合。其典型应用场景包括音频放大、传感器信号调理、工业控制和精密测量设备。 在音频设备中,NE5230DR2G凭借低失真和低噪声特性,常用于前置放大器、耳机放大器和音频接口电路,提升音质表现。在传感器应用中,如压力、温度或光传感器的信号调理电路,该器件能够精确放大微弱信号,确保数据采集的准确性。 此外,NE5230DR2G也适用于工业自动化系统中的模拟信号处理,例如可编程逻辑控制器(PLC)和数据采集模块。其宽电源电压范围和稳定的工作性能使其适应复杂工业环境。在医疗设备中,如便携式监护仪或信号检测装置,该运放有助于提高信号清晰度与系统可靠性。 总之,NE5230DR2G因其高性能、高稳定性和良好的驱动能力,成为消费电子、工业控制、医疗仪器和通信设备中关键的模拟信号处理元件。
| 参数 | 数值 |
| -3db带宽 | - |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC |
| 产品分类 | Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NE5230DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NE5230DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 压摆率 | 0.25 V/µs |
| 增益带宽积 | 600kHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 放大器类型 | 通用 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源,单/双 (±) | 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V |
| 电压-输入失调 | 400µV |
| 电流-电源 | 1.1mA |
| 电流-输入偏置 | 40nA |
| 电流-输出/通道 | 32mA |
| 电路数 | 1 |
| 输出类型 | 满摆幅 |