Datasheet下载- 型号： NDS8858H
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NDS8858H由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NDS8858H价格参考。Fairchild SemiconductorNDS8858H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NDS8858H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NDS8858H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NDS8858H 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列（采用 SO-8 封装），内置两个匹配的逻辑电平 MOSFET，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 28 mΩ @ VGS = 4.5 V）、快速开关特性及集成栅极ESD保护。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC 同步降压转换器：作为高边/低边开关管，提升电源效率（尤其适用于便携设备、主板 VRM、PoE 供电模块等）； ✅ 负载开关与电源路径管理：用于智能终端（如平板、笔记本）中的电池充放电切换、USB Type-C 电源控制，支持低电压驱动（兼容 3.3V/5V GPIO）； ✅ 电机驱动与LED驱动：适用于小功率有刷电机（如风扇、微型泵）或RGB LED背光的PWM调光控制； ✅ 热插拔与电子保险丝（eFuse）电路：利用其快速响应和过流保护能力，实现板级电源浪涌抑制与短路防护； ✅ 通信与工业接口保护：在 RS-485、CAN 总线等接口中用作反向电流阻断或电源隔离开关。 该器件具备良好的热性能与可靠性，符合AEC-Q101（部分批次），亦适用于汽车信息娱乐系统等严苛环境。需注意设计时合理布局PCB散热焊盘，并优化栅极驱动以抑制振铃。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N+P 30V 4.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 720pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 4.8A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NDS8858HDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.3A，4.8A |
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