Datasheet下载- 型号： NCV1009DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCV1009DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCV1009DR2G价格参考。ON SemiconductorNCV1009DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCV1009DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCV1009DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCV1009DR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款精密、低功耗、带隙式电压基准芯片，输出基准电压为2.5 V（典型值），初始精度达±0.5%，温漂低至50 ppm/°C，工作温度范围宽达–40°C 至 +125°C，并支持–40°C 至 +150°C 的AEC-Q100 Grade 1汽车级可靠性认证。 其主要应用场景集中于对精度、稳定性和可靠性要求严苛的汽车电子与工业系统中： ✅ 汽车电子：用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）、电池管理系统（BMS）中的ADC/DAC参考源，保障传感器信号采集（如温度、压力、电流检测）的准确性；也适用于车载信息娱乐系统和ADAS相关电源监控电路。 ✅ 工业控制：在PLC模拟输入模块、智能变送器、工业传感器接口中提供高稳定性基准电压，提升数据采集精度与长期漂移性能。 ✅ 医疗设备：适用于便携式监护仪、血糖仪等对功耗与精度敏感的设备，其低静态电流（约70 µA）有助于延长电池寿命。 ✅ 通用精密电源：可作为LDO稳压器的外部参考、开关电源反馈环路基准，或用于校准电路、电压监测比较器的阈值设定。 封装为SOIC-8（DR2G），具备良好的热稳定性和EMI抗扰能力，符合RoHS及AEC-Q100标准，凸显其面向功能安全关键应用的设计定位。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC VREF SHUNT 2.5V 8SOICN |
| 产品分类 | PMIC - 电压基准 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NCV1009DR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCV1009DR2GOSCT |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 参考类型 | 旁路，精度 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±0.2% |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | 标准值 15ppm/°C |
| 电压-输入 | - |
| 电压-输出 | 2.5V |
| 电流-输出 | - |
| 电流-阴极 | - |
| 电流-静态 | - |
| 通道数 | 1 |
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