Datasheet下载- 型号： NCP5359DR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5359DR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5359DR2G价格参考。ON SemiconductorNCP5359DR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCP5359DR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCP5359DR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP5359DR2G 是安森美半导体（ON Semiconductor）推出的一款高性能栅极驱动器，属于电源管理集成电路（PMIC）中的栅极驱动器类别。该器件主要用于驱动MOSFET或IGBT等功率开关器件，广泛应用于需要高效、高频开关控制的电源系统中。 其主要应用场景包括： 1. DC-DC转换器：在通信设备、服务器电源及工业电源中，用于高效转换电压，支持高频率开关操作，提升整体能效。 2. 同步整流系统：提高电源转换效率，适用于高精度电源管理场合。 3. 电机驱动和逆变器：在电动工具、电动车及工业自动化系统中，用于驱动功率MOSFET或IGBT，实现电机控制或直流-交流转换。 4. 电源管理系统：用于服务器、台式机和笔记本电脑的电源模块，提供稳定可靠的栅极驱动能力。 该芯片具有高驱动能力、低传播延迟和宽工作电压范围等特点，适合在高效率、高密度电源设计中使用，同时具备较强的抗干扰能力，确保系统稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC GATE DRIVER VR11.1/AMD 8-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NCP5359DR2G |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NCP5359DR2GOSDKR |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 延迟时间 | 10ns |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 10 V ~ 13.2 V |
| 电流-峰值 | - |
| 输入类型 | PWM |
| 输出数 | 2 |
| 配置 | 高端和低端，同步 |
| 配置数 | 1 |
| 高压侧电压-最大值（自举） | 35V |
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