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- 型号： NCP5162DR2
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NCP5162DR2由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NCP5162DR2价格参考。ON SemiconductorNCP5162DR2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NCP5162DR2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NCP5162DR2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NCP5162DR2（由安森美ON Semiconductor出品，非“品牌为-”）是一款双通道、高压、高速MOSFET栅极驱动器（非DC-DC开关控制器），常被误归类于PMIC稳压器。其实际功能是驱动高侧/低侧N沟道MOSFET，适用于同步降压、半桥、全桥等拓扑中的功率级驱动。 典型应用场景包括： • 工业与通信电源：用于48V输入的高效DC-DC中间总线转换器（如POL模块），配合外部PWM控制器（如NCP1599）实现高频率（可达1MHz+）、高效率的同步整流； • 服务器/数据中心电源：在VRM（电压调节模块）中驱动CPU/GPU供电的多相Buck电路的上下管； • 汽车电子：符合AEC-Q100 Grade 2标准（部分版本），适用于车载ADAS电源、车载信息娱乐系统中的高压DC-DC变换； • 电机驱动与数字电源：作为数字控制器（如DSP/FPGA）的功率接口，实现精确死区控制与快速关断，提升系统可靠性。 需注意：NCP5162DR2本身不集成PWM控制器或反馈环路，必须搭配外部误差放大器与振荡器使用。其核心优势在于120V高压自举能力、35ns典型传播延迟、±4A峰值驱动电流及内置交叉导通抑制，可显著降低开关损耗并提升系统动态响应。 （注：该器件分类应为“PMIC - 栅极驱动器”，而非“DC-DC开关式控制器”。）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| Cuk | 无 |
| 描述 | IC REG CTRLR BUCK PWM 16-SOIC |
| 产品分类 | PMIC - 稳压器 - DC DC 切换控制器 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NCP5162DR2 |
| PCN过时产品 | |
| PWM类型 | 电流/电压模式，V²;™ |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 倍增器 | 无 |
| 其它名称 | NCP5162DR2OSCT |
| 分频器 | 无 |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 升压 | 无 |
| 占空比 | 100% |
| 反向 | 无 |
| 反激式 | 无 |
| 封装/外壳 | 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-电源 | 9.15 V ~ 16 V |
| 输出数 | 2 |
| 降压 | 是 |
| 隔离式 | 无 |
| 频率-最大值 | 1MHz |
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