Datasheet下载- 型号： NAND01GR3B2BZA6E
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NAND01GR3B2BZA6E由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NAND01GR3B2BZA6E价格参考。Micron Technology IncNAND01GR3B2BZA6E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NAND01GR3B2BZA6E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NAND01GR3B2BZA6E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Micron Technology Inc. 的 NAND01GR3B2BZA6E 是一款由美光（Micron）生产的 NAND 闪存芯片，属于存储器类别。该型号的具体应用场景主要包括： 1. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑等，用于存储操作系统、应用程序和用户数据，具备高存储密度和快速读写能力。 2. 嵌入式系统：广泛应用于工业控制、医疗设备、车载系统等嵌入式环境中，提供可靠的数据存储解决方案。 3. 固态硬盘（SSD）：作为SSD的核心存储介质，用于个人电脑、服务器和数据中心，提升数据访问速度和系统启动效率。 4. 物联网（IoT）设备：支持各种物联网终端设备进行本地数据存储与处理，满足低功耗、小体积和高性能需求。 5. 网络与通信设备：如路由器、交换机等通信设备中，用于存储固件和配置信息，确保设备稳定运行。 该芯片具备高可靠性、长使用寿命和良好的兼容性，适用于多种对存储性能和稳定性有较高要求的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC FLASH 1GBIT 63VFBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NAND01GR3B2BZA6E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-VFBGA（9x11） |
| 包装 | 托盘 |
| 存储器类型 | 闪存 - NAND |
| 存储容量 | 1G（128M x 8） |
| 封装/外壳 | 63-TFBGA |
| 工作温度 | -40°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 210 |
| 格式-存储器 | 闪存 |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 速度 | - |
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