Datasheet下载- 型号： N0602N-S19-AY
- 制造商： RENESAS ELECTRONICS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供N0602N-S19-AY由RENESAS ELECTRONICS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 N0602N-S19-AY价格参考。RENESAS ELECTRONICSN0602N-S19-AY封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载N0602N-S19-AY参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有N0602N-S19-AY 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Renesas Electronics America生产的型号为N0602N-S19-AY的晶体管属于FET（场效应晶体管）/MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），且为单个器件。该型号的MOSFET通常适用于以下场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关模式电源（SMPS）中的功率转换，提供高效的电压调节。 - 负载开关：控制电路中不同部分的供电，实现低功耗和快速响应。 - 电池管理：在电池充电或放电过程中，用作开关或保护器件，防止过流、过压或短路。 2. 电机驱动 - 用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，通过高频开关控制电机的启停、速度和方向。 - 在H桥电路中，作为功率开关元件，实现双向电机控制。 3. 信号切换 - 在需要高速信号切换的应用中，如多路复用器或缓冲器，该MOSFET可以用作信号通断的开关。 - 适用于音频信号切换或其他模拟信号处理场景。 4. 保护电路 - 过流保护：利用MOSFET的导通电阻特性，检测并限制电流，防止电路过载。 - ESD保护：在敏感电路中，用作静电放电（ESD）防护的开关元件。 5. 通信设备 - 在无线通信模块中，用作功率放大器的开关或匹配网络的一部分。 - 适用于射频（RF）前端电路中的信号路由和隔离。 6. 消费电子 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备的电源管理单元（PMU）。 - 在USB接口电路中，用作端口保护和数据切换。 特性优势 - 低导通电阻：减少功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，降低开关损耗。 - 优异的热性能：能够在较高温度下稳定工作。 - 小封装尺寸：适合空间受限的设计。 综上，N0602N-S19-AY广泛应用于高效能、小体积和高可靠性的电子系统中，尤其在电源管理和信号切换领域表现突出。具体应用场景需结合其电气参数（如电压、电流、频率等）进行选择和设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Renesas Electronics America |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | N0602N-S19-AY |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 133nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.6 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 隔离片 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Ta） |
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