Datasheet下载- 型号： MURS340-E3/57T
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MURS340-E3/57T由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MURS340-E3/57T价格参考。VishayMURS340-E3/57T封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MURS340-E3/57T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MURS340-E3/57T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 MURS340-E3/57T 是一款超快恢复整流器二极管，属于单二极管类型。以下是该型号的主要应用场景及特点： 应用场景： 1. 开关电源（SMPS）： 由于其超快的反向恢复时间（trr ≤ 35ns），MURS340-E3/57T 非常适合用于高频开关电源中的整流和续流功能。 2. DC-DC 转换器： 在 DC-DC 转换电路中，该二极管可用于输出整流，确保高效的能量转换并减少开关损耗。 3. 逆变器和电机驱动： 在逆变器或电机驱动电路中，这款二极管可以处理快速切换的电流，同时保持低反向恢复损耗。 4. 太阳能光伏系统： 作为旁路二极管或阻塞二极管，MURS340-E3/57T 可保护太阳能电池板免受反向电流损害，并提高系统的整体效率。 5. 脉冲宽度调制（PWM）电路： 在 PWM 控制电路中，该二极管能够承受高频开关操作，适用于功率调节和信号处理。 6. 不间断电源（UPS）： 在 UPS 系统中，这款二极管可用于输入整流和电池充电电路，提供稳定且高效的性能。 7. 工业自动化设备： 在需要高可靠性和高效能的工业控制设备中，MURS340-E3/57T 可用于各种整流和保护电路。 特点： - 额定电压：400V，适用于高压应用。 - 额定电流：3A，支持中等功率负载。 - 低正向压降：减少功耗，提高效率。 - 超快恢复时间：降低开关损耗，适合高频电路。 - 高浪涌能力：增强可靠性，适应瞬态电流冲击。 总之，MURS340-E3/57T 是一款高性能的整流器二极管，广泛应用于高频、高效电力电子领域，特别是在需要快速响应和低损耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ULTRA FAST 400V 3A DO214AB整流器 3.0 Amp 400V 50ns |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors MURS340-E3/57T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MURS340-E3/57TMURS340-E3/57T |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.25V @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10µA @ 400V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-214AB，（SMC） |
| 其它名称 | MURS340-E3/57TGITR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 反向恢复时间(trr) | 75ns |
| 反向电压 | 400 V |
| 反向电流IR | 10 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AB，SMC |
| 封装/箱体 | SMC |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工厂包装数量 | 850 |
| 恢复时间 | 50 ns |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 125 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 850 |
| 正向电压下降 | 1.28 V |
| 正向连续电流 | 4 A |
| 热阻 | 11°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 400V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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