| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MURS320-E3/57T由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MURS320-E3/57T价格参考。VishayMURS320-E3/57T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MURS320-E3/57T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MURS320-E3/57T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的MURS320-E3/57T是一款超快恢复整流二极管,属于二极管 - 整流器 - 单类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):该型号的快速恢复时间和低正向压降使其非常适合用于开关电源中的整流部分,能够提高效率并减少损耗。 2. 逆变器和电机驱动:在逆变器和电机驱动电路中,MURS320-E3/57T可以用于高频整流,支持高效的能量转换,适用于家用电器、工业设备等场景。 3. DC-DC转换器:由于其快速开关特性和低反向漏电流,这款二极管适合用于DC-DC转换器中的同步整流或输出整流。 4. 太阳能逆变器:在光伏系统中,该二极管可用于逆变器模块,帮助实现高效的能量传输和转换。 5. 不间断电源(UPS):在UPS系统中,MURS320-E3/57T可以用作输入或输出整流器,确保系统的稳定运行和高效能量管理。 6. 电池充电器:该二极管适用于各种类型的电池充电器,特别是需要高频整流的应用场合,如电动车充电器或便携式设备充电器。 7. 功率因数校正(PFC)电路:在PFC电路中,这款二极管可以用来提高输入交流电的功率因数,从而满足严格的能效标准。 8. 电信设备:在通信基站或其他电信设备中,该二极管可用于电源模块,提供高效且可靠的整流功能。 MURS320-E3/57T的额定电压为200V,额定电流为3A,具有非常短的反向恢复时间(典型值为35ns),这些特性使其特别适合高频应用,并能在高效率和低热损耗的情况下工作。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ULTRA FAST 200V 3A DO214AB整流器 3.0 Amp 200V 25ns |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors MURS320-E3/57T- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?88689 |
| 产品型号 | MURS320-E3/57TMURS320-E3/57T |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 875mV @ 3A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 200V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Ultra Fast Recovery Rectifiers |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-214AB,(SMC) |
| 其它名称 | MURS320-E3/57TGITR |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 反向恢复时间(trr) | 35ns |
| 反向电压 | 200 V |
| 反向电流IR | 5 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-214AB,SMC |
| 封装/箱体 | SMC |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 175°C |
| 工厂包装数量 | 850 |
| 恢复时间 | 35 ns |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 125 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 850 |
| 正向电压下降 | 0.89 V |
| 正向连续电流 | 4 A |
| 热阻 | 11°C/W Jl |
| 电压-DC反向(Vr)(最大值) | 200V |
| 电流-平均整流(Io) | 3A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
| 配置 | Single |