Datasheet下载- 型号： MUN5212DW1T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5212DW1T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5212DW1T1价格参考。ON SemiconductorMUN5212DW1T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5212DW1T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5212DW1T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5212DW1T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道NPN型预偏置双极晶体管阵列（含内置基极-发射极电阻和基极-集电极电阻），采用SOT-363（SC-70-6）封装，具有小尺寸、高集成度和免外部偏置设计优势。 其典型应用场景包括： • 数字逻辑电平转换与驱动：用于微控制器（如STM32、PIC）GPIO口驱动LED、小型继电器或低功耗蜂鸣器，简化电路设计，提升响应速度； • 便携式电子设备的信号开关：在智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中，实现低功耗状态下的信号通断控制； • 接口保护与缓冲电路：作为I²C、UART等总线的电平匹配/隔离缓冲器，增强抗干扰能力； • 多路传感信号调理：在温湿度传感器、霍尔开关等模拟前端中，用作低成本、高可靠性的信号开关或使能控制； • LED背光/指示灯驱动：双通道结构支持同步或独立控制两路LED，适用于紧凑型人机界面。 该器件内置100 kΩ基极上拉电阻与100 kΩ基极-发射极下拉电阻（R1=R2=100kΩ），提供确定的开关阈值与快速关断特性，显著降低PCB面积与BOM成本，适用于对空间、功耗及可靠性要求较高的消费电子与工业控制场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5212DW1T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 60 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 250mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 频率-跃迁 | - |
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