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- 型号： MUN5137T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5137T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5137T1价格参考。ON SemiconductorMUN5137T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5137T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5137T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5137T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极晶体管（BRT），内置基极-发射极和基极-电阻网络（典型配置：R1=10kΩ，R2=10kΩ），无需外部偏置电阻，简化电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）IO口驱动中小功率负载（如LED、继电器线圈、小信号MOSFET栅极），实现3.3V/5V TTL/CMOS电平到更高电压或电流的可靠开关控制。 2. 低功耗开关应用：适用于便携式设备（如无线传感器节点、IoT终端）中的电源管理、信号通断控制，得益于其低饱和压降（VCE(sat) ≈ 0.25V @ Ic=10mA）和高直流电流增益（hFE ≈ 160），可提升能效。 3. 反相器与缓冲器电路：作为单级有源反相开关，广泛用于按键去抖、状态指示、蜂鸣器驱动等简单数字功能模块。 4. 汽车电子子系统：符合AEC-Q169（部分批次），可用于车身控制模块（BCM）中非安全关键的负载切换，如车窗升降指示灯、阅读灯控制等。 该器件采用SOT-23封装，体积小、成本低、可靠性高，特别适合空间受限、BOM精简及快速开发场景。注意其最大集电极电流为100mA，不适用于大功率负载，需配合限流/保护措施使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5137T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5137T1OS |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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