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详细数据请看参考数据手册
- 型号： MUN5136T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN5136T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN5136T1价格参考。ON SemiconductorMUN5136T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN5136T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN5136T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN5136T1 是安森美（ON Semiconductor）推出的预偏置NPN型双极结型晶体管（BJT），内置基极-发射极和基极-集电极电阻（典型配置：R₁=10kΩ，R₂=10kΩ），简化外围电路设计。其主要应用场景包括： 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动：常用于微控制器（如STM32、PIC、Arduino）GPIO引脚驱动LED、小型继电器或光耦输入端，实现3.3V/5V TTL/CMOS电平到负载的可靠开关控制。 2. 低成本开关应用：适用于便携式设备（如智能穿戴、遥控器）、家电控制板中的信号切换、状态指示（LED背光/状态灯）、蜂鸣器驱动等低功耗、中速（fₜ≈250MHz）开关场景。 3. 替代传统分立偏置方案：在空间受限的PCB设计中，可替代“三极管+两个偏置电阻”的分立方案，提升组装良率与可靠性，降低BOM成本与贴片工时。 4. 传感器信号调理前端：在简单传感电路（如按键检测、光电开关输出级）中用作电平整形或电流放大缓冲级。 注意：该器件最大连续集电极电流IC为100mA，VCEO=50V，属通用小信号开关用途，不适用于大功率、高频射频或线性放大场合。实际使用需确保功耗（PD≤200mW）及温度在规格范围内，并参考官方Datasheet进行PCB热设计与驱动能力校核。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN5136T1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 其它名称 | MUN5136T1OS |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 100k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 100k |
| 频率-跃迁 | - |
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