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- 型号： MUN2213T1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2213T1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2213T1价格参考。ON SemiconductorMUN2213T1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MUN2213T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MUN2213T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2213T1（ON Semiconductor）是一款内置基极-发射极偏置电阻的NPN型数字晶体管（预偏置BJT），常用于简化开关电路设计。其典型应用场景包括： 1. 逻辑电平接口转换：将微控制器（如3.3V/5V GPIO）输出直接驱动较高电流负载（如LED、继电器线圈、小功率MOSFET栅极），无需外接偏置电阻，节省PCB空间与BOM成本； 2. LED驱动：在消费电子、家电面板中驱动指示LED，内置R1=10kΩ、R2=10kΩ分压网络，支持约5–15mA灌电流，确保可靠饱和导通； 3. 信号切换与电平位移：在通信模块或传感器接口中作低速数字信号缓冲/反相开关（具备固定增益特性，hFE≈60–120）； 4. 电池供电设备：因静态功耗低（关断时I<100nA）、启动阈值明确（VBE(on)≈0.7V），适用于便携式设备的电源管理或唤醒检测电路； 5. 工业控制I/O扩展：配合PLC或MCU实现简单输入信号调理（如按钮去抖后驱动光耦输入端）。 该器件采用SOT-23封装，具备ESD防护（HBM >8kV），工作结温范围为−55°C至+150°C，适用于消费类、工业及汽车电子（非AEC-Q200认证，需谨慎用于车载核心系统）。注意：不适用于高频（>100kHz）或线性放大场景，且最大集电极电流仅100mA（连续），需留足裕量。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MUN2213T1 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2213T1OSCT |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 47k |
| 频率-跃迁 | - |
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