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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MUN2212T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MUN2212T1G价格参考。ON SemiconductorMUN2212T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MUN2212T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MUN2212T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MUN2212T1G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款预偏置型双极结型晶体管(BJT),集成了内置偏置电阻,简化了电路设计。该器件广泛应用于各类中小功率开关与信号放大场景。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:作为电子开关用于控制LED、继电器、小型电机等负载的通断,因其内置偏置电阻,无需外接基极电阻,节省PCB空间,提升可靠性。 2. 逻辑电平转换:在数字电路中实现不同电压逻辑信号之间的转换,如将3.3V MCU信号控制5V设备。 3. 驱动电路:用于驱动显示器背光、蜂鸣器或门控电路,具备良好的电流增益和响应速度。 4. 便携式设备:由于其小型SOT-23封装和低功耗特性,适用于手机、平板、可穿戴设备等对空间和功耗敏感的产品。 5. 工业控制与消费电子:广泛用于电源管理、传感器接口、小信号放大等模块,提升系统集成度。 MUN2212T1G具有高可靠性、温度稳定性好、易于使用等优点,适合自动化生产和大批量应用,是现代电子产品中理想的通用型预偏置晶体管解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR NPN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MUN2212T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MUN2212T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-59 |
| 其它名称 | MUN2212T1GOS |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 22 kOhms |
| 功率-最大值 | 338mW |
| 功率耗散 | 338 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SC-59 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 22k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 22k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 60 |
| 系列 | MUN2212 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 100 mA |
| 频率-跃迁 | - |